【本站】7月3日消息，天岳先进在最近举行的Semicon China展会上展示了其最新的技术成果。作为全球规模最大、最具影响力的半导体专业展，Semicon China覆盖了芯片设计、制造、封测、设备、材料、光伏和显示等产业。在这次展会上，天岳先进向公众展示了他们最新开发的8英寸碳化硅衬底的技术进展。
天岳先进的首席技术官高超博士介绍说，目前该公司主要生产6英寸导电型碳化硅衬底，并且他们的上海临港工厂已经进入产品交付阶段。此外，他们的8英寸产品也已经具备了产业化能力。
根据本站了解，最近天岳先进采用液相法成功制备出了低缺陷的8英寸碳化硅晶体。通过热场、溶液设计和工艺创新，天岳先进首次突破了碳化硅单晶的高质量生长界面控制和缺陷控制难题。此外，他们采用最新技术制备的晶体厚度已经突破了60毫米，这在大尺寸单晶高效制备方面也是行业内的首创。
据了解，目前市场上主流的碳化硅晶片尺寸为6英寸，但8英寸衬底正成为技术演化的方向。国际大厂Wolfspeed、ROHM、英飞凌等公司也已经开始布局8英寸衬底。相比于6英寸衬底，8英寸的面积增加了约78%，从同等条件下的8英寸衬底上切割出的芯片数量将提高近90%，这将有效降低单位综合成本达50%。
今年5月，天岳先进与英飞凌签订了一项新的晶圆和晶锭供应协议，将供应碳化硅6英寸衬底，并且合作制备8英寸衬底。这一合作将进一步推动碳化硅衬底的产业化进程，为半导体行业的发展带来新的机遇。
